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有価証券報告書 抜粋　ドキュメント番号: S100BII3

有価証券報告書抜粋 サムコ　株式会社 沿革 (2017年7月期)

提出会社の経営指標等メニュー事業の内容

前期次期
年月事項
1979年9月半導体製造装置の製造及び販売を目的として株式会社サムコインターナショナル研究所を設立
1980年7月国産初のプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置の開発、販売を開始
1984年7月東京都品川区に東京出張所(現東日本営業部)を開設
1985年6月京都市伏見区竹田田中宮町33番地(現藁屋町36番地)に本社を移転
1985年6月米国マーチインスツルメンツ社(現ノードソン社)の製品の販売を開始
1987年2月米国カリフォルニア州にオプトフィルムス研究所を開設
1990年11月液体ソースによる高速成膜用CVD装置の開発、販売を開始
1991年3月京都市伏見区に研究開発センターを開設
1993年2月茨城県土浦市につくば出張所(現つくば営業所)を開設
1993年9月愛知県愛知郡長久手町に東海営業所(現東海支店)を開設
1994年2月米国シンメトリックス社の技術を用いた「強誘電体成膜装置」の製造、販売を開始
1995年7月薄膜技術を使った特定フロン無公害化技術の基本技術を開発
1995年12月小型、汎用プラズマエッチング装置RIE-10NRの開発、販売を開始
1996年12月高密度プラズマICPエッチング装置RIE-101iPの開発、販売を開始
1997年11月キリンビール株式会社と共同で、プラスチックボトルにDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)膜を形成する技術を開発
1997年11月小型高密度プラズマICPエッチング装置RIE-200iPの開発、販売を開始
1998年12月小型、汎用プラズマCVD装置PD-220の開発、販売を開始
1999年7月サムコエンジニアリング株式会社より、サービス部門の営業を譲受け
2000年1月英国ケンブリッジ大学内に研究所を開設
2001年5月日本証券業協会に株式を店頭上場
公募増資により資本金を1,213,787千円に増資
2001年7月台湾新竹市に台湾事務所を開設(2009年1月に閉鎖)
2002年7月生産技術研究棟(京都市伏見区)の改修工事完了
2003年11月量産型プラズマCVD装置PD-220LCの開発、販売を開始
2003年12月(独)ロバート・ボッシュ社よりシリコンの高速ディープエッチング技術を導入
2004年11月中国上海市に上海事務所を開設
2004年12月株式会社サムコインターナショナル研究所からサムコ 株式会社へ社名を変更
2004年12月株式売買単位を1,000株から100株に変更
2004年12月日本証券業協会への店頭登録を取消し、ジャスダック証券取引所に株式を上場
2005年5月汎用研究試作用プラズマCVD装置PD-2203L(クラスターラボ)の開発、販売を開始
2005年9月英国ケンブリッジ大学との共同開発「強誘電体ナノチューブの量産技術」を英企業に技術供与
2005年12月電子基板洗浄用小型バッチ式プラズマ処理装置PC-300の開発、販売を開始
2006年3月製品サービスセンターを新設
2006年5月MEMS用高速エッチング装置RIE-800iPBの開発、販売を開始
2006年9月中国清華大学とナノ加工技術の共同研究で調印
2007年11月半導体レーザー用エッチング装置RIE-140iP/iPCの開発、販売を開始
2008年3月京都市伏見区に第二研究開発棟を開設
2008年5月窒化ガリウム膜形成用量産MOCVD装置MCV-2018の開発、販売を開始
2008年10月台湾に保守サービスのための現地法人「莎姆克股份有限公司」を設立
2008年11月窒化ガリウムウエハー専用エッチング装置RIE-330iP/iPCの開発、販売を開始
2009年1月「莎姆克股份有限公司」が営業を開始
2009年10月MEMS研究開発用高速エッチング装置RIE-400iPBの開発、販売を開始
2010年4月ジャスダック証券取引所と大阪証券取引所の合併に伴い、大阪証券取引所JASDAQ市場(現 東京証券取引所JASDAQ(スタンダード))に上場
2010年7月TSV用量産型プラズマCVD装置PD-330STCの開発、販売を開始
2010年7月LED用量産型プラズマCVD装置PD-5400の開発、販売を開始
2010年8月米国ノースカロライナ州に米国東部事務所を開設(2014年5月にニューヨーク州へ移転、2017年1月にニュージャージー州へ移転)
2010年9月中国北京市に北京事務所を開設
2011年12月アジア市場向けエッチング装置RIE-331ⅰPCの開発、販売を開始
2012年5月ベトナムホーチミン市にベトナムサービスオフィスを開設
2012年11月SiCパワーデバイス向けドライエッチング装置RIE-600ⅰPの開発、販売を開始
2013年7月東京証券取引所JASDAQ(スタンダード)から市場第二部へ市場変更
2013年10月SiCパワーデバイス向け本格量産用ドライエッチング装置RIE-600ⅰPCの開発、販売を開始
2013年11月MEMS向け本格量産用ドライエッチング装置RIE-800ⅰPBCの開発、販売を開始
2014年1月東京証券取引所市場第二部から同第一部銘柄に指定
2014年3月米国Valence Process Equipment,Inc.とMOCVD装置の販売代理店契約を締結
2014年5月リヒテンシュタイン公国UCP Processing Ltd.の株式90%を取得し子会社化(samco-ucp AGに社名変更)
2014年9月福岡市中央区に福岡営業所を開設
2015年9月公募増資により資本金を1,663,687千円に増資


年月事項
2015年12月スウェーデンEpiluvac ABとSiCエピタキシャル成膜装置の販売代理店契約を締結
電子デバイス向け原子層堆積装置AL-1の開発、販売を開始
2016年6月第二生産技術棟(京都市伏見区)が完成
2016年8月マレーシアにマレーシア事務所を開設
2016年9月Aqua Plasmaを用いたプラズマ洗浄装置AQ-2000の開発、販売を開始
前期次期

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このコンテンツは、EDINET閲覧（提出）サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E02060] S100BII3)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート（以下、本レポート）です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
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